隨著5G、AI、消費電子的興起，芯片半導體市場規(guī)模保持高速增長，成為未來科技生活的關鍵點。而半導體新技術在攻堅突破的同時，對芯片尺寸和性能的要求也不斷升級。芯片作為半導體行業(yè)的關鍵一環(huán)，其電氣性能的測試工序是半導體集成電路制程的比較重要的一道工序。
芯片的測試通道需要開關來控制和切換，繼電器對芯片的測試主要有電源供應和信號測量兩大功能，傳統(tǒng)方式采用干簧管繼電器，但MOS FET繼電器具有較高的增益和阻抗。歐姆龍全新上市的G3VM帶電壓驅動型MOS FET繼電器從電流驅動變成電壓驅動，同時其小尺寸更有效利于設備小型化！
G3VM-31QV / G3VM-61QV
產品優(yōu)勢：
低阻抗低電容
滿足大負載電流，低阻抗低電容。現在大部分設備使用了傳統(tǒng)的干簧管繼電器來進行測試，傳統(tǒng)干簧管尺寸體積較大由電流控制，大電流低漏電流，測量角度單一。而G3VM帶電壓驅動型MOS FET繼電器低阻抗低電容，低漏電流，使測量結果更精確。
小尺寸，減少封裝面積
尺寸小，可以有效減少封裝面積，節(jié)省封裝尺寸和其他零件的占板面積，有利于設備小型化。
電壓驅動
電流驅動改為電壓驅動，電阻器集成于產品內部，只需要加載電壓就能進行驅動，讓整個測試過程更為便捷快速。
產品信息
*測量輸入輸出間的耐壓時，分別對LED針腳、受光側統(tǒng)一地施加電壓。
電氣性能（TA=25）
實際應用
適用于半導體測試設備、數據記錄儀
